Общие характеристики
Socket
LGA775
Ядро
Ядро
Yorkfield
Количество ядер
4
Техпроцесс
45 нм
Частотные характеристики
Тактовая частота
2500 МГц
Системная шина
1333 МГц
Коэффициент умножения
7.5
Напряжение на ядре
0.85 B
Кэш
Объем кэша L1
64 Кб
Объем кэша L2
6144 Кб
Наборы команд
Инструкции
MMX, SSE, SSE2, SSE3, SSE4
Поддержка AMD64/EM64T
есть
Поддержка NX Bit
есть
Поддержка Virtualization Technology
есть
Дополнительно
Типичное тепловыделение
95 Вт
Максимальная рабочая температура
71.4 °C
Дополнительная информация
напряжение на ядре 0.85В - 1.3625В
нет в наличии